Descripción

El BD139 es un transistor BJT tipo NPN de potencia media diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación electrónica. Gracias a su capacidad de manejar corrientes de hasta 1.5 A y voltajes de hasta 80 V, es ampliamente utilizado en amplificadores de audio, etapas de potencia, controladores, fuentes de alimentación y circuitos complementarios.

Su encapsulado TO-126 permite una adecuada disipación térmica, haciéndolo ideal para proyectos electrónicos que requieren estabilidad y buen rendimiento en aplicaciones de media potencia. Además, su alta ganancia y ancho de banda lo convierten en una excelente opción para circuitos de audio y control.


Especificaciones:

 

  • Tipo de transistor: NPN
  • Serie: BD139
  • Encapsulado: TO-126
  • Tipo de montaje: Through Hole
  • Número de pines: 3
  • Voltaje emisor-base (VEBO): 5 V
  • Voltaje máximo colector-emisor (VCEO): 80 V
  • Voltaje colector-base (VCBO): 80 V
  • Voltaje de saturación colector-emisor: 0.5 V
  • Corriente máxima de colector: 1.5 A
  • Frecuencia de transición (fT): 320 MHz
  • Disipación de potencia: 12.5 W
  • Ganancia máxima DC (hFE): 250
  • Temperatura mínima de operación: -65 °C
  • Temperatura máxima de operación: +150 °C
  • Dimensiones: 10.8 mm x 7.8 mm x 2.1 mm
  • Peso: 60 mg

Documentación: