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Descripción

El 2N7000 es un transistor MOSFET de canal N con capacidad máxima de 60V y 200mA, empaquetado en un encapsulado TO-92 de 3 pines. Utiliza tecnología DMOS (Metal-Óxido Semiconductor de Doble Difusión) de alta densidad.

Está diseñado para la conmutación rápida de cargas de baja tensión y baja corriente, ofreciendo un rendimiento robusto y confiable. A diferencia de un transistor BJT, se activa por voltaje (no por corriente) en su compuerta (Gate), lo que lo hace ideal para controlarse directamente desde salidas lógicas de 3.3V o 5V sin necesidad de resistencia limitadora en la compuerta.

Es ampliamente utilizado en control de pequeños servomotores, drivers de compuerta para MOSFETs de mayor potencia, y conmutación de LEDs, relés pequeños y solenoides desde un microcontrolador.


Especificaciones:

  • Estilo de montaje: Through Hole
  • Encapsulado: TO-92-3
  • Polaridad: Canal N
  • Número de canales: 1
  • Voltaje Drenaje-Fuente (VDS): 60V
  • Corriente continua de drenaje (ID): 200 mA
  • Resistencia de activación (RDS(on)): 5 Ω
  • Voltaje de medición RDS(on) (VGS): 10V
  • Disipación de potencia (PD): 400 mW
  • Temperatura de trabajo mínima: -55°C
  • Temperatura de trabajo máxima: +150°C
  • Altura: 5.33mm
  • Longitud: 5.2mm
  • Ancho: 4.19mm

Documentación:

Preguntas frecuentes:

¿Puedo controlarlo directo desde un pin de Arduino sin transistor adicional?
Sí, es justamente su ventaja frente a un BJT — se activa por voltaje en la compuerta, así que un pin digital de 3.3V o 5V puede controlarlo directamente para cargas de hasta 200mA.

¿Cuál es el orden de los pines en el encapsulado TO-92?
Con la cara plana hacia ti, de izquierda a derecha: Source (S), Gate (G), Drain (D) — verifica siempre contra el datasheet, ya que algunos fabricantes varían este orden.