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Descripción

El IRF840 es un MOSFET de potencia de canal N, con voltaje máximo de 500V, ideal para amplificar o conmutar señales electrónicas de alta tensión. Es uno de los transistores de potencia más usados en la industria, reconocido por su conmutación rápida, baja resistencia de encendido y buena relación costo-rendimiento.

Como MOSFET de tercera generación, ofrece la mejor combinación de conmutación rápida, diseño robusto y baja resistencia de encendido (RDS(on)), lo que lo hace versátil y eficiente en aplicaciones de conmutación de alta potencia como fuentes conmutadas, inversores, control de motores AC y circuitos de calentamiento por inducción.


Especificaciones:

  • Disipación total del dispositivo (PD): 125 W
  • Voltaje Drenaje-Fuente (VDS): 500V
  • Voltaje Compuerta-Fuente (VGS): ±20V
  • Corriente continua de drenaje (ID): 8A
  • Temperatura de operación mínima (TJ): -55°C
  • Temperatura de operación máxima (TJ): 150°C
  • Voltaje umbral Compuerta-Fuente (VGS(th)): 4V
  • Carga de compuerta (Qg): 63 nC
  • Capacitancia de entrada (Ciss): 1500 pF
  • Resistencia de encendido (RDS(on)): 0.85 Ω
  • Encapsulado: TO-220
  • Peso: 2 g

Documentación:

Preguntas frecuentes:

¿Puedo controlarlo directo desde un pin de Arduino?
No de forma directa — requiere hasta 10V en la compuerta para alcanzar su RDS(on) especificado, así que necesita un driver de compuerta o un transistor auxiliar para activarse correctamente desde una señal de 5V o 3.3V.

¿Para qué tipo de proyectos es adecuado?
Es ideal para aplicaciones de alta tensión (hasta 500V), como fuentes conmutadas, control de motores AC de mayor potencia e inversores — no es la mejor opción para proyectos simples de bajo voltaje, donde un MOSFET como el 2N7000 es más práctico.