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Descripción

El MOSFET (Transistor de Efecto de Campo Metal-Óxido-Semiconductor) es un tipo de transistor ampliamente utilizado en la industria microelectrónica para amplificar o conmutar señales electrónicas en circuitos tanto analógicos como digitales. Este dispositivo es muy popular debido a su capacidad de operar de manera eficiente en aplicaciones de potencia y conmutación rápida.

El IRF740, específicamente, es un MOSFET de potencia de canal N con capacidad para manejar 400 V. Esta tercera generación de MOSFETs combina conmutación rápida, un diseño robusto y baja resistencia, lo cual lo hace ideal para aplicaciones donde se necesita confiabilidad y eficiencia. Existen varios tipos de transistores de efecto de campo (FET): JFET, MOSFET y MESFET. Dentro de los MOSFETs, se diferencian los tipos de empobrecimiento y enriquecimiento, los cuales definen los modos de operación básicos del transistor.

El IRF740 es conocido por su combinación de resistencia térmica baja y costo accesible, lo cual lo ha convertido en una opción preferida en aplicaciones industriales para control y manejo de energía.

Especificaciones:

  • Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
  • Tensión drenaje-fuente (Vds): 400 V
  • Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
  • Corriente continua de drenaje (Id): 10 A
  • Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
  • Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
  • Carga de compuerta (Qg): 63 nC
  • Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1450 pF
  • Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.55 Ohm
  • Empaquetado / Estuche: TO220
  • Pines: 3
  • Peso: 2 g

Datasheet: