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Descripción

El IRF540 es un MOSFET de canal N de tercera generación, que combina conmutación rápida, diseño robusto y baja resistencia de encendido. Con voltaje máximo de 100V y corriente máxima de 30A, es una de las opciones más versátiles para aplicaciones de potencia media-alta.

Se caracteriza por su baja resistencia por área de silicio (RDS(on)), lo que reduce las pérdidas de energía en forma de calor durante la conmutación — una ventaja importante en circuitos donde la eficiencia es crítica. Su encapsulado TO-220 facilita tanto la instalación como la disipación térmica con un disipador de calor estándar.

Es ampliamente utilizado en fuentes de alimentación conmutadas, control de motores DC, inversores y cualquier aplicación de electrónica de potencia que requiera manejar corrientes considerables con buena eficiencia.


Especificaciones:

  • Disipación total del dispositivo (PD): 150W
  • Voltaje Drenaje-Fuente (VDS): 100V
  • Voltaje Compuerta-Fuente (VGS): ±20V
  • Corriente continua de drenaje (ID): 30A
  • Temperatura operativa máxima (TJ): 175°C
  • Voltaje umbral Compuerta-Fuente (VGS(th)): 4V
  • Carga de compuerta (Qg máx.): 72 nC
  • Capacitancia de entrada (Ciss): 2100 pF
  • Resistencia de encendido (RDS(on), VGS=10V): 0.077Ω
  • Encapsulado: TO-220

Documentación:

Preguntas frecuentes:

¿Puedo controlarlo directo desde un pin de Arduino?
Se activa desde 5V, pero para alcanzar su RDS(on) especificado y aprovechar toda su capacidad de corriente, necesita 10V en la compuerta — para uso con Arduino se recomienda un driver de compuerta o transistor auxiliar.

¿Cuál es la diferencia con el IRFZ44N?
El IRFZ44N tiene menor voltaje máximo (55V) pero mayor corriente (49A) y menor resistencia de encendido (17.5mΩ); el IRF540 soporta mayor voltaje (100V) con algo menos de corriente — elige según cuál límite sea más crítico para tu circuito.