El Transistor IRF640 es un MOSFET de potencia de tipo N, ideal para amplificar o conmutar señales electrónicas en aplicaciones de alta potencia. Este transistor es ampliamente utilizado en la industria microelectrónica, tanto en circuitos analógicos como digitales, debido a su combinación de cambio rápido, alta resistencia y bajo costo. Con capacidad para soportar hasta 200V, el IRF640 destaca por su baja resistencia térmica y facilidad de integración en circuitos integrados. Es especialmente valorado en aplicaciones donde se requiere una conmutación rápida y confiable, ideal para proyectos industriales y de alta eficiencia.
Especificaciones:
- Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
- Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
- Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
- Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
- Tensión umbral compuerta-fuente (Vgs(th)): 4 V
- Carga de compuerta (Qg): 50 nC
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
- Resistencia drenaje-fuente (RDS(on)): 0.18 Ohm
- Encapsulado: TO-220
- Pines: 3
Datasheet: