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Descripción

El Transistor IRF640 es un MOSFET de potencia de tipo N, ideal para amplificar o conmutar señales electrónicas en aplicaciones de alta potencia. Este transistor es ampliamente utilizado en la industria microelectrónica, tanto en circuitos analógicos como digitales, debido a su combinación de cambio rápido, alta resistencia y bajo costo. Con capacidad para soportar hasta 200V, el IRF640 destaca por su baja resistencia térmica y facilidad de integración en circuitos integrados. Es especialmente valorado en aplicaciones donde se requiere una conmutación rápida y confiable, ideal para proyectos industriales y de alta eficiencia.

Especificaciones:

  • Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
  • Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
  • Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
  • Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
  • Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
  • Tensión umbral compuerta-fuente (Vgs(th)): 4 V
  • Carga de compuerta (Qg): 50 nC
  • Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
  • Resistencia drenaje-fuente (RDS(on)): 0.18 Ohm
  • Encapsulado: TO-220
  • Pines: 3

Datasheet: