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Descripción

El TIP35C Transistor BJT NPN 100V - 25A TO-247 es un semiconductor bipolar de alta potencia diseñado para aplicaciones industriales y de consumo que demandan eficiencia y confiabilidad. Este transistor soporta corrientes de hasta 25A y tensiones de hasta 100VDC, siendo capaz de disipar una potencia máxima de 125W si se utiliza un disipador adecuado.

Con una configuración NPN y un factor de amplificación (hFE) variable entre 15 y 75, el TIP35C es ideal para operar como interruptor o amplificador en aplicaciones de procesado de señales, amplificación de audio, administración de potencia y dispositivos portátiles. Su encapsulado TO-247 garantiza un manejo térmico eficiente, lo que asegura un rendimiento óptimo incluso en entornos de alta exigencia.

Especificaciones:

  • Tipo de encapsulado: TO-247
  • Transistor complementario: TIP36C
  • Equivalentes: TIP35, TIP35A, TIP35B, NTE392
  • Tipo: Transistor de Unión Bipolar BJT, NPN
  • Voltaje Colector-Emisor (VCE): 100 V
  • Voltaje Colector-Base (VCB): 100 V
  • Voltaje Emisor-Base (VEB): 5 V
  • Corriente del colector (IC): 25 A
  • Corriente de la base (IB): 5 A
  • Potencia máxima disipada (PD): 125 W
  • Ganancia máxima (hFE): 75
  • Frecuencia de trabajo (FT): 3 MHz

Datasheet: