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Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (por sus siglas en inglés: Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es uno de los componentes más utilizados en la industria microelectrónica debido a su capacidad para amplificar o conmutar señales electrónicas en una variedad de aplicaciones. Este tipo de transistor es fundamental en circuitos tanto analógicos como digitales, lo que le otorga una gran versatilidad.

¿Para qué es?

Los MOSFET son conocidos por su alta velocidad de conmutación, resistencia, baja resistencia térmica y bajo costo, lo que los hace ideales para aplicaciones industriales. Su rentabilidad y rendimiento contribuyen a su amplia adopción en la industria. Existen tres tipos principales de transistores de efecto de campo (FET): JFET, MOSFET y MESFET. Los MOSFET se dividen en tipo empobrecimiento y tipo enriquecimiento, según su modo de operación. Estos transistores de potencia son ideales para reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor y controladores de relé.

¿Cómo Funciona?

El IRF9540, un MOSFET de canal P y -100V, es un ejemplo típico de MOSFET de potencia. Este transistor se destaca por su combinación de conmutación rápida, diseño robusto, baja resistencia y costo-efectividad. La resistencia térmica baja y la capacidad de operar directamente desde circuitos integrados hacen que el IRF9540 sea una opción popular en la industria.

Especificaciones:

  • Voltaje drenaje-fuente Vds: -100V
  • Voltaje de compuerta a fuente: ± 20V
  • Resistencia en estado de encendido Rds(on): 117mohm con Vgs de -10V
  • Disipación de potencia Pd: 140W a 25 °C
  • Intensidad drenador continua Id: 23 A
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Corriente continua de drenaje Id: -23A en Vgs -10V y 25 °C
  • Rango de temperatura de operación de unión: -55°C a 175°C

Datasheet: