El transistor IRF840, un MOSFET de potencia de N-canal de 500V, es una herramienta fundamental para amplificar o conmutar señales electrónicas. Reconocido como el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, destaca por su capacidad de cambio rápido, resistencia, baja resistencia y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo lo convierten en una opción ampliamente aceptada en toda la industria.
En cuanto a su funcionamiento, el IRF840 opera como un MOSFET de potencia de tercera generación, ofreciendo al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño robusto del dispositivo y baja resistencia. Su diseño permite la operación directa desde circuitos integrados, lo que lo hace versátil y eficiente en una variedad de aplicaciones.
Especificaciones:
- Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
- Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V
- Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
- Corriente continua de drenaje (Id): 8 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
- Tensión umbral compuerta-fuente (Vgs(th)): 4 V
- Carga de compuerta (Qg): 63 nC
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1500 pF
- Resistencia drenaje-fuente (RDS(on)): 0.85 Ohm
- Empaquetado / Estuche: TO220
- Peso: 2 g
Datasheet: