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Descripción

El transistor IRF840, un MOSFET de potencia de N-canal de 500V, es una herramienta fundamental para amplificar o conmutar señales electrónicas. Reconocido como el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, destaca por su capacidad de cambio rápido, resistencia, baja resistencia y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo lo convierten en una opción ampliamente aceptada en toda la industria.

En cuanto a su funcionamiento, el IRF840 opera como un MOSFET de potencia de tercera generación, ofreciendo al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño robusto del dispositivo y baja resistencia. Su diseño permite la operación directa desde circuitos integrados, lo que lo hace versátil y eficiente en una variedad de aplicaciones.

Especificaciones:

  • Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
  • Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V
  • Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
  • Corriente continua de drenaje (Id): 8 A
  • Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
  • Tensión umbral compuerta-fuente (Vgs(th)): 4 V
  • Carga de compuerta (Qg): 63 nC
  • Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1500 pF
  • Resistencia drenaje-fuente (RDS(on)): 0.85 Ohm
  • Empaquetado / Estuche: TO220
  • Peso: 2 g

Datasheet: