El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor, conocido como MOSFET, es un componente ampliamente empleado en la industria electrónica para amplificar o conmutar señales eléctricas. Este tipo de transistor es el más utilizado en circuitos analógicos y digitales debido a su versatilidad y eficiencia.
El IRF540 es un MOSFET de canal único tipo N con una capacidad de 100V y se presenta en un encapsulado TO-220. Este MOSFET se caracteriza por su baja resistencia por área de silicio, lo que lo hace especialmente adecuado para aplicaciones de alta potencia. Los MOSFET de potencia, como el IRF540, son reconocidos por su eficiencia y fiabilidad, y pueden ser utilizados en una amplia gama de aplicaciones electrónicas.
Especificaciones:
- Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
- Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
- Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
- Corriente continua de drenaje (Id): 30 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
- Tensión umbral compuerta-fuente (Vgs(th)): 4 V
- Carga de compuerta (Qg): 72 nC
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
- Resistencia drenaje-fuente (RDS(on)): 0.077 Ohm
- Encapsulado: TO-220
Datasheet: