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Descripción

El IRF3205 es un transistor MOSFET de canal N, diseñado para manejar cargas de alta potencia de forma eficiente. Con un encapsulado TO-220AB y tres pines, este MOSFET es ideal para aplicaciones que requieren manejar altos niveles de corriente y voltaje, soportando hasta 55V y 110A. Su diseño optimizado lo convierte en un transistor de alto rendimiento para proyectos de baja frecuencia que necesitan una solución confiable y eficaz para el control de energía.

Especificaciones:

  • Encapsulado: TO-220AB
  • Pines: 3
  • Canal: 1 N-Channel
  • Montaje: THT Through Hole
  • Voltaje drenaje-fuente (Vds): 55V
  • Voltaje compuerta-fuente (Vgs): ± 20V
  • Disipación de potencia (Pd): 200W (requiere disipador de calor)
  • Corriente continua de drenaje (Id): 110A

Datasheet: