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Fototransistor 5mm con Filtro de Luz de Día

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Descripción

Fototransistor tipo NPN de alta sensibilidad de silicón, empaquetado estándar de 5mm. Diseñado para ser usado con un diodo emisor infrarrojo.

Especificaciones:

  • Voltaje Colector-Emisor: 30V
  • Voltaje Emisor-Colector: 5V
  • Corriente Colector: 20mA
  • Temperatura de operación máxima: 85C°
  • Temperatura de soldado: 260C°

Datasheet: