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Descripción

El 2N7000 es un transistor MOSFET de canal N con una capacidad máxima de 60V y 200mA, empaquetado en un encapsulado TO-92 de 3 pines. Utiliza tecnología DMOS (Metal-Óxido Semiconductor de Doble Difusión) de alta densidad. Este dispositivo está diseñado para la conmutación rápida de cargas que operan con tensiones de hasta 60V (VDS) y corrientes de hasta 200mA (ID), ofreciendo un rendimiento de conmutación robusto, rápido y confiable. El 2N7000 es ampliamente utilizado en diversas aplicaciones de conmutación de señales eléctricas de baja tensión y baja corriente, como el control de pequeños servomotores, controladores de puertas MOSFET y otras aplicaciones de conmutación.

Especificaciones:

  • Estilo de montaje: Through Hole
  • Paquete / Cubierta: TO-92-3
  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Número de canales: 1 Canal
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vds): 60V
  • Corriente Continua de Drenaje (Id): 200mA
  • Resistencia de Activación (Rds(on)): 5 Ohms
  • Tensión (Vgs) de Medición Rds(on): 10V
  • Disipación de Potencia (Pd): 400mW
  • Temperatura de trabajo mínima: -55 °C
  • Temperatura de trabajo máxima: +150 °C
  • Altura: 5.33 mm
  • Longitud: 5.2 mm
  • Ancho: 4.19 mm

Datasheet: