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Descripción

El 2N3906 PNP es un transistor bipolar de unión (BJT) de estado sólido que aprovecha las propiedades del silicio para amplificar señales de voltaje o corriente. Se clasifica como un transistor PNP, con dos capas de material tipo P separadas por una capa tipo N. Su encapsulado TO-92 es de plástico negro y presenta tres pines: base, colector y emisor. En su funcionamiento, el emisor emite electrones, la base los transfiere y el colector los recoge. Este transistor, de propósito general, se utiliza en aplicaciones lineales y de conmutación, siendo comúnmente empleado como amplificador de media potencia.

Especificaciones:

  • Encapsulado: TO-92
  • Altura: 18 mm
  • Longitud: 4.19 mm
  • Ancho: 3.45 mm
  • Peso de la unidad: 0.18 g
  • VCBO Máxima Colector-Base: 40 V
  • Tensión VCEO Máxima Colector-Emisor: 40 V
  • Tensión VEBO Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente del Colector (Ic): 200 mAdc
  • Dp – Disipación de potencia: 625 mW
  • DC ganancia de corriente: 300
  • fT Ancho de Banda: 250 MHz
  • Voltaje de saturación colector-emisor: 400 mV
  • Temperatura de trabajo máxima: +150 ºC
  • Temperatura mínima de funcionamiento: -55 °C

Datasheet